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MRAM技術 〜基礎からLSI応用まで〜 単行本 – 2002/2/28

宮崎 照宣 (著), 猪俣 浩一郎 (著, 編集), 齋藤 好昭 (著),
すべての形式と版を表示
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  1. 本の長さ
    206ページ
  2. 言語
    日本語
  3. 出版社
    リアライズ理工センター
  4. 発売日
    2002/2/28
  5. ISBN-10
    4898080359
  6. ISBN-13
    978-4898080351
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商品の説明

出版社からのコメント

低消費電力が求められる昨今では、MRAM(/Magnetoresistive Random AccessMemory/)は次世代不揮発性メモリの有力候補として開発が進められている。磁気を利用するため、他の集積回路とは異なる動作原理であることから注目されている。メモリーの基本性能である読み出し、書き込み速度が速いという特徴がある。しかしMRAMの開発に当たっては、磁性材料に関する知見が重要になることから、従来の LSI開発者にとっては戸惑う部分も多い。
本書では、従来のLSI開発者にも理解しやすくなるように、用語や考え方について議論を重ねた。電気技術者にもわかりやすいMRAM技術として、唯一の書籍と考えている。

著者について

宮崎照宣 東北大学 猪俣浩一郎 東北大学 齋藤好昭 (株)東芝 小林和雄 (株)富士通研究所 松山公秀 九州大学 荒木 悟 TDK(株) 中谷 功 物質・材料研究機構 松寺久雄 日本電気(株)

登録情報

  • 出版社 ‏ : ‎ リアライズ理工センター (2002/2/28)
  • 発売日 ‏ : ‎ 2002/2/28
  • 言語 ‏ : ‎ 日本語
  • 単行本 ‏ : ‎ 206ページ
  • ISBN-10 ‏ : ‎ 4898080359
  • ISBN-13 ‏ : ‎ 978-4898080351

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